Vi phản lực nhúng được tích hợp vào đế thiết bị để làm mát trực tiếp vùng sinh nhiệt, đạt hệ số truyền nhiệt trung bình trên 250 kW/m²·K và nhiệt độ tăng thấp. Thiết bị thử nghiệm gồm mảng vi phản lực và bộ gia nhiệt tích hợp mô phỏng hình học và mật độ công suất của HEMT GaN. Mô phỏng số bằng COMSOL và đo thực nghiệm bằng Raman nhiệt ký xác nhận hiệu suất làm mát cao với mật độ nhiệt trên 5 kW/cm². Thiết kế sử dụng kỹ thuật vi chế tạo silicon chi phí thấp, cho phép ứng dụng rộng rãi trong các thiết bị điện tử công suất cao thu nhỏ. Hệ thống thử nghiệm được thiết kế chuyên biệt để đo áp suất, lưu lượng và nhiệt độ, cho thấy khả năng kiểm soát nhiệt vượt trội và tiềm năng ứng dụng thực tế.