Thiết kế, đặc tả và triển khai mạch SRAM 7T tiêu thụ thấp sử dụng transistor đường hầm dị thể với kỹ thuật chồng lớp oxit

( 0 đánh giá )
Miễn phí

Transistor HETT sử dụng vật liệu có khe năng lượng thấp như Ge, SiGe giúp giảm độ dốc dưới ngưỡng và dòng rò so với MOSFET. Bài báo đề xuất mạch SRAM 7T sử dụng HETT với kỹ thuật chồng lớp oxit để tăng vùng đường hầm, cải thiện dòng ON và giảm công suất tiêu thụ. Mô hình toán học dựa trên phương trình Poisson 2D được xây dựng để mô phỏng tiềm năng bề mặt. Các kết quả mô phỏng xác nhận độ dốc dưới ngưỡng đạt 16 mV/decade, dòng ON cao và dòng rò thấp. So với SRAM 6T truyền thống, SRAM 7T dùng HETT cho hiệu suất tốt hơn trong môi trường điện áp thấp.