Phương pháp thiết kế mới cho mạch CNFET miễn nhiễm với sai lệch cấu trúc

( 0 đánh giá )
Miễn phí

CNFET là ứng viên tiềm năng thay thế công nghệ bán dẫn hiện tại, nhưng gặp nhiều thách thức như CNT kim loại, sai lệch vị trí và hướng CNT. Bài báo đề xuất phương pháp thiết kế mạch miễn nhiễm với các sai lệch này bằng cách sử dụng cấu trúc inverter và các kỹ thuật điều chỉnh đường kính CNT và số lượng CNT để kiểm soát điện áp ngưỡng và dòng dẫn. Các mạch được thiết kế có khả năng phục hồi điện áp, dòng dẫn cao và tương thích với quy trình VLSI. Kết quả mô phỏng cho thấy phương pháp này cải thiện đáng kể độ trễ, tiêu thụ năng lượng và PDP so với các phương pháp trước đó, đồng thời duy trì tính toàn vẹn chức năng khi có sai lệch CNT.