Vùng giữa các vây trong FinFET GaN cấu trúc đứng gây ra điện dung ký sinh lớn, làm chậm quá trình chuyển mạch. Bài báo đề xuất ba thiết kế mới: giảm khoảng cách vây, lấp đầy oxit và cấu trúc cổng tách. Thiết kế SG cho phép dòng điện từ nguồn và cổng cùng tham gia nạp/xả vùng trôi, giúp giảm thời gian chuyển mạch và tổn thất. Mô phỏng cho thấy SG cải thiện 58% chỉ số hiệu suất chuyển mạch và giảm 38% tổn thất. Ứng dụng trong bộ chuyển đổi buck 800 V cho thấy hiệu suất cao ở tần số MHz, nhấn mạnh tiềm năng của FinFET GaN trong các ứng dụng điện áp trung bình tần số cao.