G4FET là transistor SOI có bốn cổng độc lập, kết hợp đặc tính MOS và JFET trong một cấu trúc duy nhất. Bài báo sử dụng phương pháp nội suy spline tuyến tính và spline bậc ba để mô hình hóa đặc tuyến dòng-áp của G4FET. Mô hình được xây dựng từ dữ liệu TCAD và thực nghiệm, cho kết quả chính xác với sai số trung bình thấp. Các mô hình được kiểm chứng qua nhiều thiết bị với điều kiện phân cực khác nhau, bao gồm cả biến thiên hình học. Mô hình spline bậc ba cho độ liên tục cao, phù hợp với mô phỏng mạch tương tự. Mô hình cũng được tích hợp vào SPICE để mô phỏng các mạch như bộ khuếch đại, bộ nhân tương tự và cổng logic tái cấu hình.