Cấu trúc gồm graphene nanoribbon hai lớp kẹp giữa hai lớp SiO₂, với cổng trên và dưới điều khiển điện trường vuông góc.

• Mô hình sử dụng phương pháp tight-binding đầy đủ với các tham số tương tác nội và giữa các lớp để mô phỏng phổ năng lượng.
• - Mô phỏng NEGF tự nhất quán với phương trình Poisson 3D cho thấy transistor hoạt động tốt ở chế độ bất đối xứng (ASYM), với cổng dưới nối đất và cổng trên điều khiển điện áp.
• - ASYM-BGNFET có độ lợi điện áp nội tại cao hơn (~110), tần số cắt lớn hơn (~8 THz), độ trễ chuyển mạch thấp hơn (~100 fs), và tỷ số dòng bật/tắt cao hơn (~3.8×10⁴) so với GNRFET và SYM-BGNFET.
• - Việc điều khiển khe năng lượng bằng điện trường giúp tăng dòng bật nhờ hiệu ứng tunneling giữa các dải năng lượng.
• - Kết quả cho thấy BGNFET bất đối xứng là ứng viên tiềm năng cho các ứng dụng điện tử tốc độ cao và logic số.