Bài báo trình bày quá trình chế tạo vật liệu La2GeO5:Bi3+,Nd3+ bằng phương pháp phản ứng trạng thái rắn, với mục tiêu tạo ra vật liệu chuyển đổi bước sóng hiệu quả cho pin mặt trời silicon. Vật liệu này hấp thụ mạnh ánh sáng tử ngoại gần nhờ ion Bi3+ và phát xạ một loạt các bước sóng hồng ngoại gần thông qua cơ chế cắt lượng tử từ ion Nd3+. Phân tích phổ phát quang và thời gian sống cho thấy hiệu quả chuyển năng lượng từ Bi3+ sang Nd3+ đạt 91%, và hiệu suất lượng tử lý thuyết lên đến 191%. Cơ chế chuyển năng lượng được xác định là tương tác lưỡng cực-lưỡng cực. Vật liệu cũng cho thấy độ ổn định nhiệt tốt với năng lượng kích hoạt 0.152 eV. Những kết quả này chứng minh tiềm năng ứng dụng của La2GeO5:Bi3+,Nd3+ trong cải thiện hiệu suất pin mặt trời silicon.