Bài viết mở rộng mô hình điện của cảm biến SiPM bằng cách tích hợp ảnh hưởng của mạch đọc tín hiệu như điện trở tải và giới hạn băng thông. Mô hình mới sử dụng hàm truyền bốn mũ để mô phỏng chính xác quá trình phát xung gồm các giai đoạn: khởi phát, dập xung và hồi phục. Tác giả đưa ra biểu thức toán học mô tả điện áp đầu ra theo thời gian, cho phép dự đoán chính xác đáp ứng động của SiPM. Các thí nghiệm thực tế với cảm biến SiPM Hamamatsu và hai bộ khuếch đại có băng thông khác nhau được thực hiện để kiểm chứng mô hình. Kết quả cho thấy mô hình phù hợp tốt với dữ liệu thực nghiệm, giúp tối ưu hóa thiết kế hệ thống đọc tín hiệu trong các ứng dụng như vật lý hạt, y học hạt nhân và thiên văn học.