Dynamic RON là hiện tượng điện trở dẫn động tăng tạm thời do các điện tích bị bẫy trong lớp epitaxy khi transistor ở trạng thái OFF với điện áp cao.

• Mạch kiểm tra được thiết kế để mô phỏng chính xác điều kiện hoạt động của transistor trong mạch công suất, bao gồm thời gian chịu điện áp và dòng điện lặp lại.
• - Khắc phục hạn chế của phương pháp Double Pulse Test truyền thống bằng cách sử dụng mạch điều khiển dòng độc lập và thời gian stress có thể điều chỉnh.
• - Thử nghiệm trên các transistor GaN thương mại (EPC8004C và GS66508P) và một transistor silicon (IRF540) để so sánh.
• - Kết quả cho thấy một số transistor GaN có hiện tượng dynamic RON rõ rệt, đặc biệt khi chịu stress điện áp lâu và chuyển mạch nhiều lần.
• - Việc hiểu rõ đặc tính này giúp các kỹ sư thiết kế mạch công suất dự đoán tổn hao dẫn điện chính xác hơn và lựa chọn giải pháp chuyển mạch mềm để giảm ảnh hưởng.