Các điốt GaAsBi được chế tạo bằng phương pháp MBE trên nền GaAs, với lớp hoạt động có độ dày từ 100–350 nm.  

• Phổ phát xạ điện ở nhiệt độ phòng cho thấy tín hiệu rõ ràng ở mật độ dòng thấp (8 A/cm²), cao hơn so với các nghiên cứu trước đó.  
• - Phân tích phổ cho thấy sự tồn tại của các trạng thái cục bộ do Bi gây ra, kéo dài đến 75 meV trong vùng cấm.  
• - Kết quả đo XRD cho thấy các mẫu dày có thể đã xảy ra hiện tượng giãn ứng suất.  
• - Hiệu suất phát xạ giảm mạnh khi tăng độ dày lớp GaAsBi, do gia tăng tái tổ hợp không bức xạ.  
• - Phân tích nhiệt độ cho thấy sự chi phối của tái tổ hợp bức xạ ở nhiệt độ thấp và không bức xạ ở nhiệt độ phòng, cùng với sự dịch chuyển năng lượng phát xạ theo dạng “S” do hiệu ứng cục bộ hóa.