Bài báo trình bày quá trình chế tạo màng mỏng GZO bằng phương pháp phún xạ magnetron với nhiệt độ nền thay đổi từ 100°C đến 400°C. Kết quả cho thấy nhiệt độ cao giúp cải thiện độ kết tinh, giảm khuyết tật và tăng độ dẫn điện. Phân tích XRD cho thấy sự hình thành cấu trúc wurtzite ổn định, trong khi SEM và AFM xác nhận sự thay đổi hình thái bề mặt theo nhiệt độ. Độ dẫn điện đạt giá trị cao nhất ở 300°C, phù hợp cho ứng dụng làm điện cực trong các thiết bị hiển thị và pin mặt trời. Nghiên cứu góp phần định hướng tối ưu hóa vật liệu oxit dẫn điện trong công nghệ nano.