Ảnh hưởng của lớp phủ CeO₂ lên quá trình aluminizing lớp phủ NiCoCrAlY bằng phương pháp LPCVD

( 0 đánh giá )
Miễn phí

Nghiên cứu thực hiện aluminizing lớp phủ NiCoCrAlY có và không có lớp CeO₂ bằng LPCVD ở 1050 °C. Kết quả cho thấy lớp CeO₂ làm tăng độ dày lớp aluminide và thay đổi cơ chế khuếch tán từ nhôm vào trong sang niken ra ngoài. Lớp phủ ß-NiAl hình thành đồng đều hơn khi có CeO₂, đồng thời cải thiện độ bám và độ bền nhiệt. Phân tích XRD xác nhận sự hiện diện của pha ß-NiAl và phân bố CeO₂ chủ yếu ở vùng bề mặt. Quá trình tăng trưởng lớp phủ tuân theo động học parabol, kiểm soát bởi khuếch tán. CeO₂ đóng vai trò như chất xúc tiến khuếch tán và ổn định lớp oxide.