Vật liệu CoSb₃ chứa clo được tổng hợp thành công bằng phương pháp HPHT, đạt tỷ lệ lấp đầy clo lên đến 23% mà không cần bù điện tích. Clo hoạt động như chất nhận điện tử, làm tăng nồng độ lỗ trống lên mức 10¹⁹ cm⁻³. Vi cấu trúc cho thấy sự hình thành hạt nano và hình thái gai bất thường khi tăng hàm lượng clo. Độ dẫn nhiệt mạng giảm 46% so với CoSb₃ nguyên chất, nhờ vào hiệu ứng tán xạ phonon mạnh. Mô hình Debye-Callaway xác nhận vai trò của khuyết điểm điểm và biên hạt trong việc giảm độ dẫn nhiệt. Hệ số ZT đạt 0.2 ở 700 K, tăng 340% so với mẫu gốc.