Bài viết trình bày kỹ thuật ước lượng tuổi hoạt động của mạch tích hợp CMOS thông qua đo dòng rò IDDQ ở trạng thái tĩnh. Phương pháp khai thác hiện tượng suy giảm dòng rò do hiệu ứng NBTI làm tăng điện áp ngưỡng của transistor PMOS theo thời gian sử dụng. Bằng cách so sánh IDDQ giữa hai mẫu đầu vào có mức độ stress khác nhau, sự chênh lệch dòng rò phản ánh mức độ lão hóa của chip. Kỹ thuật này không yêu cầu thay đổi phần cứng, có thể áp dụng cho các IC cũ và phát hiện chính xác các chip đã sử dụng từ 6 tháng trở lên. Mô hình dòng rò được cải tiến để phản ánh ảnh hưởng của kích thước cổng và điện áp nguồn, đồng thời loại trừ sai lệch do biến thiên quy trình sản xuất.