Bẫy ánh sáng là yếu tố quan trọng trong việc nâng cao hiệu suất của pin mặt trời màng mỏng silicon. Nghiên cứu này chế tạo các mạng nhiễu xạ hình trụ silicon ở mặt sau với các chu kỳ khác nhau và phân tích ảnh hưởng của chúng đến khả năng hấp thụ ánh sáng hồng ngoại gần. Các phép đo quang học cho thấy mạng có chu kỳ 1.2 µm đạt hiệu quả cao nhất, với mức hấp thụ tăng đến 75% trong vùng bước sóng 800–1100 nm. Việc bổ sung lớp phủ SiOx giúp giảm phản xạ và tăng hấp thụ, đặc biệt trong vùng hồng ngoại. Kết quả cho thấy cấu trúc mạng kết hợp lớp phủ SiOx là giải pháp tiềm năng để cải thiện hiệu suất pin mặt trời silicon.