Quy trình chế tạo tiên tiến cho điện tử siêu dẫn: hiện trạng và phát triển mới

( 0 đánh giá )
Miễn phí

Các nút công nghệ SFQ*ee đã đạt được tích hợp quy mô lớn với hàng triệu mối nối Josephson, nhưng gặp hạn chế do vị trí mối nối gần đỉnh chồng lớp gây biến dạng wafer và lan truyền thông số. Quy trình SC1 mới đặt mối nối gần đáy, giúp giảm biến dạng, cải thiện độ đồng đều và đơn giản hóa kết nối mạch. Bài viết cũng phân tích chi tiết ảnh hưởng của ứng suất dư, độ cong wafer và sự tương quan giữa ứng suất và dòng tới hạn Jc. Các kết quả cho thấy cải tiến quy trình lắng đọng niobi giúp giảm biến thiên Jc và tăng hiệu suất chế tạo.