Phương trình Sellmeier truyền thống chỉ áp dụng cho vùng trong suốt của vật liệu, không mô hình được vùng hấp thụ mạnh.

• Tác giả đề xuất phương trình Sellmeier với các hệ số phức để mô hình hóa chiết suất trong vùng bước sóng ngắn hơn năng lượng vùng cấm.
• - Các hệ số được xác định bằng phương pháp bình phương tối thiểu từ dữ liệu đo ellipsometry trên các mẫu GaAs, InAsBi và Silicon.
• - Kết quả mô phỏng cho thấy sai số dưới 1.7% trong toàn bộ dải bước sóng khảo sát.
• - Phương pháp này có thể ứng dụng trong thiết kế sóng dẫn, mô phỏng quang học và phần mềm mô phỏng vật liệu.
• - Đây là lần đầu tiên phương trình Sellmeier phức được áp dụng cho vùng hấp thụ của vật liệu bán dẫn.