Phương pháp thiết kế logic đa giá trị dựa trên transistor graphene nanoribbon cạnh armchair và thiết kế mạch số học

( 0 đánh giá )
Miễn phí

Bài viết nghiên cứu đặc tính điện áp ngưỡng của AGNRFET với các dải chiều rộng khác nhau, cho thấy khả năng ứng dụng trong thiết kế mạch logic đa giá trị. Các mạch inverter, NAND, NOR và half adder được xây dựng với điện áp nguồn 0.5 V, sử dụng các transistor có chiều rộng khác nhau để tạo ra các mức logic. Kết quả mô phỏng xác nhận tính khả thi của thiết kế và hiệu suất vượt trội so với CNTFET. Các tham số như độ trễ, công suất và PDP được đánh giá trong điều kiện thay đổi nhiệt độ, điện áp và tải điện dung. GNRFET cho thấy khả năng hoạt động ổn định và hiệu quả trong môi trường điện tử nano.