Anten được cấu trúc từ năm lớp xen kẽ giữa kim loại và silicon, sử dụng các khe dạng chữ thập trong mảng bức xạ để tạo hiệu ứng metamaterial. Cơ chế cấp nguồn dựa trên đường truyền vi dải hở từ lớp silicon dưới lên lớp bức xạ trên thông qua khoang cộng hưởng. Công nghệ SIW được áp dụng để giảm tổn thất nền và sóng bề mặt. Anten đạt độ lợi trung bình 6.9 dBi và hiệu suất 53% trong dải tần từ 0.285 đến 0.325 THz. Thiết kế đơn giản, dễ chế tạo và phù hợp cho sản xuất hàng loạt.