Mô hình GaN HEMT được xây dựng dựa trên đặc tính phi tuyến của dòng Ids và được hiệu chỉnh bằng đa thức bậc hai theo nhiệt độ. Mô hình cho phép ước lượng chính xác Rds đến 250 ℃, từ đó tính toán suy hao chuyển đổi (CL) và hệ số phản xạ của bộ trộn. Phân tích cho thấy CL tăng theo nhiệt độ, đặc biệt ở mức công suất LO thấp. Bằng cách tối ưu hóa điện áp phân cực cổng theo nhiệt độ, CL được cải thiện đáng kể, giảm đến 8.4 dB ở 250 ℃. Mô hình được xác minh bằng thực nghiệm và cho kết quả phù hợp với dữ liệu đo.