Thiết bị GaN điện áp cao có đặc tính dòng điện bão hòa giả và điện dung phi tuyến do cấu trúc tấm chắn điện trường. Mô hình compact được xây dựng để mô phỏng chính xác các đặc tính này, bao gồm cả hành vi dẫn ngược không có tổn thất hồi phục. Mô hình được triển khai trong môi trường Saber HDL, sử dụng các biểu thức giải tích mô tả dòng kênh, điện trở trôi phi tuyến và điện dung động. Kết quả xác thực cho thấy mô hình phù hợp với dữ liệu thực nghiệm và có thể ứng dụng trong thiết kế mạch điện tử công suất hiện đại sử dụng thiết bị GaN điện áp cao.