Mạch tích hợp điện tử quang học silicon 3D có khả năng mở rộng và các ứng dụng của chúng

( 0 đánh giá )
Miễn phí

Với nhu cầu xử lý dữ liệu ngày càng tăng, tích hợp quang học và điện tử theo chiều sâu 3D trở thành giải pháp tiềm năng. Bài báo giới thiệu công nghệ TSOV giúp kết nối các lớp quang học silicon theo chiều dọc, tương tự TSV trong điện tử. Các cấu trúc như bộ ghép U-turn, bộ chia sao đa lớp Si3N4 và nền interposer cho phép xây dựng hệ thống LIDAR độ phân giải cao, bộ nhớ DRAM quang học 3D và hệ thống xử lý tích hợp. Kết quả đo cho thấy tổn thất truyền dẫn có thể giảm xuống 1.3 dB với thiết kế tối ưu. Công nghệ này hứa hẹn giảm diện tích, tiêu thụ năng lượng và tăng mật độ tích hợp cho các hệ thống quang điện quy mô lớn.