Màng PVP/PEO/WC được chế tạo bằng phương pháp đúc với các tỷ lệ WC khác nhau. Kết quả cho thấy độ hấp thụ tăng 31.6% ở vùng UV, trong khi độ truyền giảm và khoảng cách vùng năng lượng giảm từ 3.6 xuống 3.22 eV. Các thông số quang học như hệ số hấp thụ, chiết suất, hằng số điện môi, độ dẫn quang và điện đều được cải thiện khi tăng hàm lượng WC. Năng lượng Urbach và độ sâu xuyên giảm cho thấy sự tăng mật độ trạng thái khuyết tật. Vật liệu này hứa hẹn ứng dụng trong các thiết bị như cảm biến, diode, transistor và pin mặt trời.