Khung lý thuyết:

• Hàm băm cảm nhận và watermark số là hai kỹ thuật phổ biến trong xác thực và bảo vệ bản quyền hình ảnh.
• - Biến đổi wave atom (WAT) cho phép biểu diễn thưa và mô hình hóa kết cấu định hướng tốt hơn so với wavelet hay curvelet.
• - Quá trình in–quét gây ra biến dạng như nhiễu, thay đổi độ sáng, nén JPEG, làm mờ, biến dạng hình học.

Chiến lược hàm băm lai:

• Trích xuất đặc trưng từ dải tần số thứ 2 và 3 của wave atom.
• - Sử dụng thống kê năng lượng trung bình và phương sai của các khối con.
• - Tạo hàm băm từ so sánh năng lượng giữa các khối liền kề và mã hóa vị trí phương sai lớn/nhỏ bằng mã Gray.
• - Kích thước hàm băm: 158 bit. Được bảo vệ bằng chuỗi bit ngẫu nhiên sinh từ khóa bí mật.

Mô hình watermark chống in–quét:

• Watermark được nhúng gián tiếp bằng cách điều chỉnh năng lượng khối con qua tham số offset.
• - Mô hình toán học mô phỏng ảnh hưởng của nhiễu in (DA) và quét (AD) lên hệ số wave atom.
• - Quá trình trích xuất watermark dựa trên so sánh năng lượng giữa các khối con tương ứng.

Mô hình đa mục tiêu:

• Kết hợp hàm băm và watermark để hỗ trợ xác thực, tìm kiếm ảnh, và bảo vệ bản quyền.
• - Sử dụng kênh màu xanh lá để nhúng watermark và tạo hàm băm do ít nhiễu hơn.
• - Ứng dụng trong hệ thống tìm kiếm ảnh: so sánh hàm băm ảnh in–quét với cơ sở dữ liệu bằng khoảng cách Hamming chuẩn hóa (NHD).

Kết quả thực nghiệm:

• 250 ảnh in–quét cho thấy NHD giữa ảnh gốc và ảnh in–quét nằm trong khoảng 0.05–0.20.
• - Phân biệt ảnh khác nhau và ảnh bị chỉnh sửa nội dung (15%, 25%, 35%) với tỷ lệ lỗi thấp.
• - Độ nhạy với thay đổi màu bất thường cũng được ghi nhận.
• - So sánh với các phương pháp khác cho thấy hàm băm lai WAT có kích thước nhỏ, độ phức tạp thấp, và hiệu năng cao.
• - Watermark giữ được độ tương quan cao (NC > 0.86) sau in–quét, đặc biệt khi nhúng vào kênh xanh lá.

Kết luận:

Phương pháp WAT cho phép xác thực và bảo vệ bản quyền hình ảnh in với độ tin cậy cao. Hàm băm lai và watermark số kết hợp tạo thành mô hình đa mục tiêu phù hợp cho thiết bị di động. Hướng nghiên cứu tiếp theo là tăng khả năng kháng xoay và tối ưu hóa độ nhạy–độ bền trong khi giữ kích thước và độ phức tạp thấp.