Transistor được chế tạo trực tiếp trên nền PEN dày 25 µm ở nhiệt độ tối đa 180 ºC, sử dụng cấu trúc top-gate.

• Thiết bị chịu được uốn cong ở cả hai chiều nén và kéo với bán kính tới 1.5 mm mà không suy giảm hiệu suất điện.
• - Khi uốn tới bán kính 0.75 mm, đặc tính điện giảm nhẹ nhưng vẫn hoạt động, cho thấy tiềm năng ứng dụng trong điện tử gập được.
• - Lớp cách điện silicon nitride được xác định là yếu tố giới hạn độ bền cơ học, do xuất hiện nứt khi uốn cong quá mức.
• - Sau khi được làm phẳng lại, transistor phục hồi hoàn toàn đặc tính điện, chứng minh khả năng tái sử dụng sau khi gập.
• - Kết quả mở ra hướng phát triển mạch điện tử có thể gập đôi để lưu trữ và sử dụng lại khi cần.