GFET được chế tạo từ graphene tổng hợp bằng phương pháp CVD, chuyển lên nền PEN linh hoạt và trong suốt.

• Kênh dẫn có chiều dài chỉ 260 nm, ngắn nhất từng được báo cáo cho GFET trên nền linh hoạt.
• - Thiết bị đạt tần số cắt dòng fT = 38.7 GHz và tần số cắt công suất fmax = 7.6 GHz sau khi loại bỏ ảnh hưởng của điện dung pad.
• - Thiết bị chịu được độ biến dạng cơ học lên đến 2% mà không suy giảm đáng kể hiệu suất điện tử.
• - Giới hạn cơ học chủ yếu do vật liệu điện cực (Au/Pd), có thể cải thiện bằng vật liệu thay thế như graphite.
• - Hiệu suất RF bị giới hạn bởi khả năng tản nhiệt của nền PEN, gây biến dạng khi dòng điện cao.
• - Tài liệu cũng so sánh phương pháp loại bỏ ảnh hưởng điện dung pad và ảnh hưởng đến kết quả đo tần số cắt.