Thiết kế bộ lọc thông dải bậc năm sử dụng công nghệ sóng dẫn tích hợp trên đế (SIW)

( 0 đánh giá )
Miễn phí

Bộ lọc được thiết kế dựa trên cấu trúc đối xứng sử dụng các khe cảm ứng để tạo ra các phần tử cộng hưởng. Tài liệu mô tả chi tiết quá trình tính toán các thông số vật lý như chiều dài điện và độ rộng khe dựa trên nguyên lý bộ lọc Chebyshev. Sau khi thiết kế bộ lọc dạng sóng dẫn truyền thống, nhóm nghiên cứu chuyển sang thiết kế tương đương bằng công nghệ SIW trên đế điện môi có hằng số điện môi 4.3 và độ dày 0.8 mm. Quá trình mô phỏng được thực hiện bằng phần mềm CST Microwave Studio. Bộ lọc SIW đạt băng thông khoảng 13%, độ phản xạ lên đến 40 dB tại 11.2 GHz, cho thấy hiệu suất lọc cao và khả năng tích hợp tốt với các mạch in phẳng. Tài liệu kết luận rằng công nghệ SIW là giải pháp thay thế hiệu quả cho sóng dẫn truyền thống nhờ chi phí thấp, dễ chế tạo và hiệu suất tương đương.