Sợi quang đơn mode hỗ trợ rãnh giảm tổn thất uốn siêu thấp

( 0 đánh giá )
Miễn phí

Sợi TA-BIF được thiết kế với cấu trúc rãnh quang nhằm giảm tối đa tổn thất khi uốn cong ở bán kính nhỏ (5 mm). Kết quả thực nghiệm cho thấy tổn thất chỉ 0.05 dB/vòng tại bước sóng 1550 nm, vượt trội so với các loại sợi thương mại như SMF-28, G657A và G657B. Tài liệu phân tích chi tiết ảnh hưởng của các thông số cấu trúc như bán kính lõi, độ rộng lớp cladding và rãnh đến hiệu suất truyền dẫn. Sợi TA-BIF cũng đạt tiêu chuẩn về đường kính trường mode, phân tán sắc và bước sóng cutoff, cho thấy tiềm năng ứng dụng cao trong mạng truy cập quang tốc độ cao. Phương pháp chế tạo sử dụng kỹ thuật MCVD với tối ưu hóa bằng thuật toán PSO.