Nanowire Bi2S3 được oxy hóa bề mặt để tạo lớp Bi2S3-xOx, hình thành dị thể p-n với vùng cấm căn chỉnh hiệu quả. Thiết bị photodetector đơn nanowire này cho thấy khả năng đáp ứng phổ rộng từ tia cực tím đến cận hồng ngoại, với độ nhạy cao (lên đến 2908.9 A/W) và thời gian đáp ứng nhanh (0.47 ms). Độ phát hiện đạt 10¹¹ Jones ở vùng ánh sáng khả kiến và giảm dần ở vùng cận hồng ngoại. Phân tích cấu trúc điện tử bằng tính toán nguyên lý đầu tiên xác nhận sự chuyển đổi từ n-type sang p-type do sự thay thế nguyên tử lưu huỳnh bằng oxy. Thiết bị hứa hẹn ứng dụng trong các hệ thống quang điện tử nano hiệu suất cao.