Phân tích nhiễu của phototransistor dị thể dựa trên vật liệu nhóm IV cho mạng viễn thông sợi quang

( 0 đánh giá )
Miễn phí

GeSn có hệ số hấp thụ cao hơn Ge thuần, đặc biệt ở vùng bước sóng 1.55 μm (C-band và L-band), giúp tăng SNR ở tần số cao.

  • Phân tích ba thành phần nhiễu chính: nhiễu nhiệt, nhiễu shot tại tiếp giáp emitter-base và base-collector.
  • - SNR đạt >70 dB đến 10 GHz và >50 dB đến 100 GHz, cao hơn so với HPT InGaAs tương đương.
  • - Độ nhạy phổ đạt ~6 A/W trong vùng 1.3–1.55 μm với doping base cao (5×10¹⁹ cm⁻³).
  • - EQE cao và ổn định đến 1.8 μm, phù hợp cho ứng dụng viễn thông và hồng ngoại trung.
  • - Tăng tỷ lệ Sn giúp mở rộng vùng hấp thụ và cải thiện hiệu suất, nhưng cần tối ưu doping để duy trì SNR.
  • - Lớp chống phản xạ SiO₂ dày 300 nm được tối ưu để giảm phản xạ và tăng dòng quang.