Một transistor DMOSFET 4H-SiC có diện tích dẫn điện 40 mm², điện áp định mức 1200 V và dòng định mức 150 A đã được thử nghiệm với dòng xung lên đến 600 A (gấp 4 lần định mức), tương ứng mật độ dòng 1500 A/cm². Thiết bị được đóng cắt cứng 500.000 chu kỳ trong mạch RLC mô phỏng điều kiện xung thực tế. Kết quả cho thấy điện trở dẫn RDS(on) giảm 6.77% và điện áp ngưỡng VGS(th) chỉ giảm 132 mV. Đặc tính điện DC được đo từ 25 đến 150 °C cho thấy điện áp dẫn tăng 200 mV tại 20 A và VGS(th) giảm 2 V ở 150 °C. Các đặc tính chuyển mạch không thay đổi đáng kể sau thử nghiệm, chứng minh độ ổn định cao của thiết bị trong môi trường hoạt động khắc nghiệt như bộ biến đổi xung, bộ kích plasma, hoặc hệ thống điện tử công suất có khả năng xảy ra ngắn mạch tạm thời.