Lắng đọng lớp phủ dày (Cr,Al)ON bằng công nghệ lắng đọng hơi vật lý tốc độ cao

( 0 đánh giá )
Miễn phí

Nghiên cứu tập trung vào việc phát triển lớp phủ (Cr,Al)ON dày bằng công nghệ HS-PVD sử dụng dòng khí argon và cấu hình điện cực rỗng. Các lớp phủ được chế tạo với tỷ lệ Cr:Al khác nhau và được khảo sát về hình thái, tốc độ lắng đọng và thành phần pha. Kết quả cho thấy lớp phủ có cấu trúc đặc, tốc độ lắng đọng cao (~20 µm/h) và khả năng chống oxy hóa hiệu quả ở 950 °C. Phân tích XRD và SEM sau khi ủ nhiệt cho thấy lớp phủ giàu Al có khả năng ngăn chặn sự khuếch tán và bảo vệ nền y-TiAl tốt hơn. Công nghệ HS-PVD chứng minh tiềm năng lớn trong ứng dụng lớp phủ bảo vệ ở nhiệt độ cao.