Hiệu ứng khuyết oxy nâng cao hiệu suất quang điện của màng mỏng hạt nano ZnO trên dị thể ZnO/Si cho cảm biến UV/NIR

( 0 đánh giá )
Miễn phí

Bài báo trình bày cách tối ưu hóa hiệu suất cảm biến quang tử UV/NIR bằng cách tạo khuyết oxy vừa phải trong màng mỏng hạt nano ZnO trên nền p-Si. Thiết bị dị thể này đạt độ nhạy cao, độ phát hiện vượt trội và tốc độ phản hồi nhanh dưới ánh sáng 365 nm và 900 nm. Kết quả cho thấy hiệu suất vượt trội so với các cấu trúc ZnO truyền thống và tương đương với một số vật liệu 2D mới. Hiệu suất được cải thiện nhờ mức Fermi tăng và hiệu ứng giao diện giữa ZnO và Si. Thiết bị có tiềm năng ứng dụng thực tiễn cao trong lĩnh vực quang điện tử thế hệ mới.