Phương pháp sử dụng laser có bước sóng gần biên hấp thụ của vật liệu để tạo ra sự gia tăng hấp thụ do hiệu ứng nhiệt, giúp biến đổi cấu trúc bên trong vật liệu bán dẫn.

• Mô hình lý thuyết được xây dựng dựa trên công thức Urbach và sự phụ thuộc của khe năng lượng vào nhiệt độ, cho thấy hệ số hấp thụ tăng theo cấp số nhân khi nhiệt độ tăng.
• - Thí nghiệm được thực hiện trên vật liệu ZnSe với laser xung 20 ns tại bước sóng 485 nm, cho thấy sự biến đổi cấu trúc cục bộ tại tiêu điểm bên trong vật liệu.
• - Ngưỡng cường độ laser để bắt đầu quá trình hấp thụ nhiệt được xác định là khoảng 0.8 × 10⁸ W/cm², thấp hơn nhiều so với ngưỡng hấp thụ phi tuyến.
• - Các vùng biến đổi có hình dạng đồng đều, không có vết nứt, và có thể được điều khiển bằng năng lượng xung và vị trí tiêu điểm.
• - Phương pháp này có tiềm năng ứng dụng trong ghi thông tin quang học, tạo cấu trúc quang tử như mạng Bragg, và xử lý vật liệu có khe năng lượng như thủy tinh chalcogenide.