Graphene oxide được khử ở các nhiệt độ khác nhau để tạo tiếp xúc Schottky với GaN, với độ cao rào Schottky đạt cực đại 1.07 eV ở 650 ℃.

• Phân tích XPS cho thấy sự thay đổi các nhóm chức chứa oxy (OFGs) ảnh hưởng đến cấu trúc điện tử và độ cao rào.
• - Thiết bị MSM được chế tạo với cấu trúc ngón tay xen kẽ từ rGO khử ở 650 ℃, cho độ nhạy quang cao tại bước sóng 365 nm.
• - Dòng tối và dòng quang được đo dưới chiếu sáng 360 nm, cho thấy dòng quang lớn hơn dòng tối khoảng 20 lần.
• - Độ nhạy quang đạt 0.128 A/W tại 365 nm, tương ứng với hiệu suất lượng tử nội bộ khoảng 44%.
• - Thiết bị cho phản hồi quang mạnh trong vùng tử ngoại và khả năng loại bỏ ánh sáng khả kiến rõ rệt.