Cấu trúc giếng lượng tử loại II InGaN-ZnSnN2/GaN được đề xuất cho phát xạ vùng cận hồng ngoại, với các bước sóng từ ~780 nm đến ~910 nm. Bằng cách điều chỉnh thành phần In và độ rộng giếng, có thể đạt các bước sóng mong muốn. Tính toán cho thấy độ chồng lấp hàm sóng Meh > 30%, dẫn đến xác suất chuyển tiếp cao và hiệu suất bức xạ > 40%. Tác giả cũng khảo sát ảnh hưởng của pha tạp vùng chắn đến bước sóng và Meh, cho thấy khả năng điều chỉnh phát xạ bằng thiết kế cấu trúc. Kết quả chứng minh cấu trúc này phù hợp cho các ứng dụng LED vùng cận hồng ngoại như y sinh, cảm biến, truyền thông quang học và nhận dạng sinh trắc học.