Điều biến điện quang trong silicon khối sử dụng cộng hưởng plasmon bề mặt

( 0 đánh giá )
Miễn phí

Thiết bị gồm một sóng dẫn điện môi được ghép suy giảm với mode SPP tại giao diện giữa kim loại và silicon khối.  

  • Thiết kế không cần lớp cách điện dưới, giúp tích hợp trực tiếp với mạch điện tử trên cùng mặt phẳng.  
  • - Cộng hưởng SPP cho độ nhạy phổ rất cao (~5000 nm/RIU) và băng thông điều biến rộng (90 nm).  
  • - Khi thay đổi chiết suất silicon từ 3.47 xuống 3.45, cộng hưởng dịch 100 nm, đạt độ sâu điều biến ~10 dB.  
  • - Kim loại sử dụng là đồng (Cu) thay vì vàng hoặc bạc để đảm bảo tương thích CMOS.  
  • - Thiết kế đơn giản, dễ chế tạo, phù hợp cho truyền thông nội chip và liên chip trong các hệ thống silicon photonics.