Cấu trúc p-GaN/i-Ga2O3/n-Ga2O3:Si được chế tạo bằng phương pháp lắng đọng hơi ngưng tụ làm mát, cho phép tạo lớp i-Ga2O3 chất lượng cao với ít khuyết tật oxy. Sau khi xử lý nhiệt ở 900 ℃, các lớp phim đạt độ kết tinh tốt và hình thành dị thể n-i với vùng cấm phù hợp. Thiết bị DUV-LED thu được có bước sóng phát xạ đỉnh tại 248 nm, độ rộng phổ nửa cực đại 21 nm và không có phát xạ trong vùng khả kiến. Đặc tính điện cho thấy điện áp dẫn hoàn toàn là 7.9 V và điện áp ngắt là -15.1 V. Kết quả xác nhận khả năng chế tạo DUV-LED không nhạy ánh sáng mặt trời từ Ga2O3 ở nhiệt độ thấp, mở ra tiềm năng ứng dụng trong chiếu sáng UV-C và khử trùng.