Thiết bị LED được chế tạo từ cấu trúc p-NiO/n-InN trên nền SiC bằng phương pháp PAMBE kết hợp phún xạ RF. Lớp InN có độ dày ~180 nm, lớp NiO ~100 nm. Thiết bị thể hiện đặc tính chỉnh lưu với điện áp bật ~1.1 V. Phát xạ cận hồng ngoại mạnh được ghi nhận ở bước sóng ~1500 nm khi dòng điện tăng từ 9 đến 15 mA. Phân tích phổ PL xác nhận phát xạ đến từ vùng biên của InN. Cấu trúc vùng năng lượng cho thấy sự chặn điện tử bởi NiO và sự truyền lỗ trống từ NiO sang InN, dẫn đến tái tổ hợp phát quang. Đặc tính phát quang theo dòng điện tuân theo hàm mũ với chỉ số p ~1.71, cho thấy ảnh hưởng của khuyết tật tại giao diện. Kết quả chứng minh tiềm năng ứng dụng của cấu trúc p-NiO/n-InN trong các thiết bị LED cận hồng ngoại.