Bài báo trình bày phương pháp ellipsometry quang phổ kết hợp giữa vùng tử ngoại-khả kiến (UV-NIR) và hồng ngoại trung (MIR) để đặc trưng lớp silicon xốp (PSL) có chiều dày từ vài trăm nanomet đến vài chục micromet. PSL được tạo ra bằng phương pháp điện hóa trên wafer silicon đơn tinh thể trong dung dịch HF. Các mô hình quang học được xây dựng để mô phỏng độ xốp, độ nhám bề mặt và mức độ oxy hóa. Kết quả cho thấy độ dày và độ xốp có thể được xác định chính xác, với độ phù hợp cao giữa mô hình và dữ liệu thực nghiệm. Phương pháp này cũng cho phép phân biệt rõ ràng giữa thành phần silicon, khoảng trống và oxide trong cấu trúc PSL, đặc biệt khi sử dụng phổ MIR. Việc oxy hóa PSL theo các phương pháp khác nhau đều tuân theo quy luật giãn nở thể tích giống như khi oxy hóa bề mặt silicon phẳng.