Gương DBR GaN xốp được chế tạo bằng phương pháp điện hóa trong dung dịch NaNO3, với cấu trúc tuần hoàn giữa lớp GaN xốp thấp và cao. Hình ảnh SEM và AFM cho thấy bề mặt sau ăn mòn vẫn mịn, phù hợp cho việc phủ vật liệu khác. Phổ phản xạ đo được và mô phỏng cho thấy độ phản xạ cao và vùng cấm rộng, có thể điều chỉnh bằng độ dày lớp. Màng perovskite CsSnBr1.8I1.2 được phủ lên DBR bằng phương pháp CVD, cho thấy cường độ phát quang tăng ~4.3 lần so với mẫu trên nền GaN thường. Mô hình lý thuyết xác nhận hiệu ứng tăng cường ánh sáng do phản xạ từ DBR. Kết quả chứng minh DBR GaN xốp là nền tảng tiềm năng cho các thiết bị quang điện hiệu suất cao.