Cấu trúc và tính chất điện tử của lớp đơn XBi hai chiều (X = Si, Ge, Sn)

( 0 đánh giá )
Miễn phí

Sử dụng phương pháp tính toán nguyên lý đầu tiên để khảo sát cấu trúc và tính ổn định của lớp đơn XBi.

   - Cấu trúc gồm các vòng vuông và bát giác, tạo thành mạng tinh thể tứ giác ổn định ở nhiệt độ phòng.

   - Tác động của tương tác spin-orbit làm thay đổi bản chất và độ rộng vùng cấm của vật liệu.

   - SiBi là bán dẫn vùng cấm trực tiếp, trong khi GeBi và SnBi là bán dẫn vùng cấm gián tiếp.

   - Biến dạng cơ học có thể điều chỉnh vùng cấm và thậm chí chuyển pha sang kim loại.

   - Kết quả cho thấy XBi có tiềm năng ứng dụng trong thiết bị điện tử nano linh hoạt.