Bộ nhớ dẻo hiệu suất cao và ổn định sử dụng bóng bán dẫn màng mỏng In-Ga-Zn-O và lớp bẫy điện tích ZnO trên nền poly(ethylene naphthalate)

( 0 đánh giá )
Miễn phí

Bộ nhớ dẻo được chế tạo bằng cách sử dụng lớp kênh IGZO và lớp bẫy điện tích ZnO, kết hợp với các lớp oxit như Al₂O₃ để tạo thành cấu trúc ngăn chặn và truyền điện tích. Quá trình chế tạo được thực hiện ở nhiệt độ thấp (<180°C) để phù hợp với nền PEN. Thiết bị đạt được biên độ nhớ rộng (25.6 V), tốc độ lập trình nhanh (~500 ns), và thời gian lưu trữ dài (>3 giờ), kể cả ở nhiệt độ cao (80°C). Các đặc tính vẫn ổn định sau khi tách khỏi nền kính và khi uốn cong với bán kính cong 3.3 mm. Thiết bị cũng cho thấy khả năng tích hợp với bóng bán dẫn oxit để tạo thành mạch điều khiển. Cơ chế hoạt động dựa trên sự bẫy và giải phóng điện tích trong lớp ZnO khi áp dụng điện áp lập trình. Kết quả cho thấy tiềm năng ứng dụng trong các hệ thống điện tử dẻo thế hệ mới.