Mô hình tight-binding được sử dụng để tính toán cấu trúc vùng năng lượng của BGN với các tham số tương tác nội và giữa lớp.

• Cấu trúc bất đối xứng (ASYM) cho phép điều chỉnh khe năng lượng bằng điện trường, cải thiện dòng bật và giảm dòng rò.
• - So với GNRFET, BGNFET có độ dẫn transconductance cao hơn, độ dẫn drain thấp hơn, dẫn đến điện áp ngõ ra nội tại cao hơn.
• - Tần số cắt (fT) của ASYM-BGNFET đạt đến vùng THz nhờ điện dung cổng thấp và transconductance cao.
• - Độ trễ chuyển mạch (intrinsic delay) của ASYM-BGNFET ~100 fs, thấp hơn SYM-BGNFET (~150 fs) và GNRFET (~140 fs).
• - PDP của ASYM-BGNFET hơi cao hơn do điện dung cổng lớn hơn, nhưng vẫn trong giới hạn chấp nhận được.
• - Tỷ số dòng bật/tắt (Ion/Ioff) của ASYM-BGNFET đạt ~3.8×10⁴, cao hơn SYM-BGNFET (~0.5×10⁴) và GNRFET (~1.3×10⁴).